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我知道返回電流將使用最接近信號(hào)軌跡的平面。那么你能否就這兩個(gè)具體條件給我答案。

1）當(dāng)我們說4層時(shí)，層1 2 3是信號(hào)層，連續(xù)地平面在第4層。對(duì)于所有3層信號(hào)，返回電流路徑將位于第4平面上，因?yàn)闆]有其他平面。

2）現(xiàn)在對(duì)于第二種情況，4層疊加是信號(hào)地平面信號(hào)信號(hào)。假設(shè)第3層有信號(hào)跡線，但我也為第3層的某些區(qū)域（不完全）上的某些 vcc軌道注入了銅。然后，如果我在第4層繪制信號(hào)跡線，則返回電流將在第2層的地平面上或部分銅在第3層上注入，以便在部分銅澆注下通過痕跡并且不會(huì)在部分銅澆注下通過。

我希望我很清楚。

如果你發(fā)布一些照片會(huì)更清楚。另外：用于高速信號(hào)的PCB是什么？如果不是，請(qǐng)記住，返回電流（實(shí)際上是任何電流）始終遵循阻抗最小的路徑。 -  

• 對(duì)于直流和低頻填充（<幾MHz />幾百ns長(zhǎng)的開關(guān)邊沿，不用擔(dān)心太多RF魔法），地平面將成為返回路徑。進(jìn)入VHF范圍后，返回路徑通常是阻抗最小的路徑。如果您的VCC電源平面有很多陶瓷脫鉤，然后返回電流將沿著最近的層流（即要么具有良好的電容耦合到地或者是地面）  

• @Sam我不知道怎么樣。電容器對(duì)返回電流有影響，因?yàn)榉祷芈窂绞且粭l巨大的道路而電容器位于引腳附近。我唯一知道關(guān)于dec的事情。帽。是他們有頻率。因此，通過將它們中的一些并聯(lián)連接，我們獲得了低阻抗，并且它們提供了我們想要的更恒定的電壓電平。 

• @Enric Blanco所以在這種情況下，由于連續(xù)接地可能具有最低阻抗，因此它將是我們的返回電流路徑，因?yàn)槿魏螌由系牟糠帚~澆注不能具有比完全澆注的接地層更低的阻抗 -   

•  ，但是如何到達(dá)每個(gè)平面（過孔）將對(duì)銅在平面上傾倒的阻抗產(chǎn)生更大的影響。 

• 良好的陶瓷去耦電容非常接近于高頻信號(hào)的短路，這就是為什么在頻率范圍的較高端它們可以允許返回電流在層之間通過。DC / LF可能會(huì)通過地平面，但是如果有接近的去耦電容，那么多頻率的東西將希望保持盡可能接近信號(hào)走線，這樣可以讓HF通過運(yùn)行更接近信號(hào)走線沿著VCC層，然后就可以了。如果沒有任何東西在幾兆頻率上運(yùn)行且沒有任何東西產(chǎn)生低于100ns的切換邊緣，那么我不擔(dān)心。 -  Sam 于2017年2月23日23:25

•  但是沒有實(shí)際的接觸。我的意思是，如果我們從源到接收器連接一條跡線，例如從mcu引腳到i2c傳感器引腳，那么電磁場(chǎng)將完成這一操作，電流將沿著相同的路徑返回但在平面上。實(shí)際上，在我看來，我們似乎并沒有與任何地方進(jìn)行物理連接。我很困惑:) - 

•  因此，實(shí)際上總結(jié)阻抗地平面層堆疊等所有這些細(xì)節(jié)在高速或高頻率時(shí)都很重要。我不需要在低頻率下?lián)奶唷?/span>mcu傳感器等電路 -   

• 電流將根據(jù)其阻抗分離所有可能的方式，因此最短且更導(dǎo)電的方式將獲得更多電流，而不是更長(zhǎng)且導(dǎo)電性更低。但是你可以考慮每個(gè)導(dǎo)線/通孔/連接器/等電阻和（通常是很小的）電容和電感的組合。然后你必須解決所得到的網(wǎng)絡(luò)，以獲得各處的電流和電壓值。通常這并不重要，因?yàn)橛幸粭l寬的路徑，幾乎所有的電流都是這樣的，并且在路徑上存在如此小的阻抗，無論如何電壓幾乎為零。 - 

• 你為什么關(guān)心返回電流？您是否關(guān)注輻射發(fā)射或信號(hào)完整性？或者是其他東西？在任何情況下，您應(yīng)始終將最快邊緣信號(hào)路由到緊鄰連續(xù)平面的位置。如果飛機(jī)上有任何斷裂，請(qǐng)不要在斷裂處路由快速邊緣信號(hào)。這適用于兩種堆疊選擇。時(shí)鐘和任何具有快速上升和下降時(shí)間的信號(hào)應(yīng)緊鄰GND。如果將GND放在內(nèi)部層上，則可以在GND旁邊放置兩個(gè)跟蹤層。需要考慮的事情。  

•  。我想盡可能多地學(xué)習(xí)。我可以再詢問一件事，我理解如果gnd在內(nèi)部有2層相鄰但是如果我們有4層并且其中3個(gè)可以用于高速跟蹤，其中第4個(gè)將是完整的gorund平面。堆疊就像信號(hào)接地信號(hào)信號(hào) -